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特集 膜リサイクリング
シナプス後部における受容体のリサイクリング
著者: 山口和彦1 立川哲也1
所属機関: 1理化学研究所脳科学総合研究センター記憶学習機構研究チーム
ページ範囲:P.122 - P.127
文献購入ページに移動軸索末端であるシナプス前部からは,電気信号によりトリガーされて神経伝達物質が放出され,シナプス後部では,神経伝達物質が特異的受容体に結合し,情報は再び電気信号に変換される。シナプス後部における受容体発現は常時,構成性受容体トラフィッキングによって調節されている。シナプス後膜表面に構成性エクソサイトーシスにより挿入された受容体は,構成性エンドサイトーシスにより内在化された後,リサイクルされ,再びシナプス後膜に挿入される。シナプス後膜における受容体の発現が活動依存性に長期に増強されたり(長期増強,LTP),抑圧(長期抑圧,LTD)されることが記憶や学習の基礎機構の一つとなっている。
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