文献詳細
文献概要
今月の主題 臨床検査の新技術 話題
ISFETの最近の展開
著者: 松尾正之1
所属機関: 1東京電機大学理工学部応用電子工学科
ページ範囲:P.638 - P.640
文献購入ページに移動1.はじめに
ISFETはイオン選択性電極(ISE)と電界効果形トランジスタ(FET)とを一体化した半導体イオンセンサであり,1970年にP.Bergveldによって提案されたイオンセンサである.ISFETは,集積回路(IC)技術を用いて製作するためきわめて小形であり,かつ多重化や周辺信号処理回路を一体化することが容易であるという特徴がある.この特徴を生かしてISFETの多様な研究が行われてきた.特にISFETが超小形であることを用い,主として医用を目的としての研究が進められている.
ISFETの原理をはじめその全般的な解説は専門書1)に譲り,ここでは最近のセンサの国際会議2,3)を中心にしてISFET研究の動向を述べよう.
ISFETはイオン選択性電極(ISE)と電界効果形トランジスタ(FET)とを一体化した半導体イオンセンサであり,1970年にP.Bergveldによって提案されたイオンセンサである.ISFETは,集積回路(IC)技術を用いて製作するためきわめて小形であり,かつ多重化や周辺信号処理回路を一体化することが容易であるという特徴がある.この特徴を生かしてISFETの多様な研究が行われてきた.特にISFETが超小形であることを用い,主として医用を目的としての研究が進められている.
ISFETの原理をはじめその全般的な解説は専門書1)に譲り,ここでは最近のセンサの国際会議2,3)を中心にしてISFET研究の動向を述べよう.
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